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2023-01
星期 一
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重庆双向触发二极管国产替代 上海来明电子供应
新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大
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2023-01
星期
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湖南VGA接口ESD保护元件原理 上海来明电子供应
在JS-001-2012及MIL-STD-883H中，带电的人体都用100皮法（pF）电容器及1500欧姆的放电电阻来模拟。在测试过程中，电容会充电到数千伏（常见的是2kV、4kV、6kV及8kV），再借由电阻串联到被测器件进行放
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2023-01
星期
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上海陶瓷晶振精度 上海来明电子供应
晶振负载电容的选择：晶体工作在基频时，其负载电容的标准值为20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶体经常工作在串联谐振，在使用负载电容的地方，其负载电容值应从下列标准值中选择：8PF、12PF，上海陶瓷晶振精度、15PF
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2023-01
星期
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北京陶瓷电容厂家 上海来明电子供应
介质损耗，电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示（在电容器的等效电路中，串联等效电阻ESR同容抗1/ωC之比称之为Tanδ，这里的ESR是在120Hz下计算获得的值。显然，Tanδ
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2023-01
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安徽安规电容失效 上海来明电子供应
薄膜电容器主要应用于电子、家电、通讯、电力、电气化铁路、混合动力汽车、风力发电、太阳能发电等多个行业，这些行业的稳定发展，推动了薄膜电容器市场的增长。随着技术水平的发展，电子、家电、通讯等多个行业更新换代周期越来越短，安徽安规电容
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