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2023-02
星期 二
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齐纳二极管正负 上海来明电子供应
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层
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2023-02
星期 一
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氧化锌压敏电阻MOV原理 上海来明电子供应
压敏电阻导电机理：晶界由晶粒的边界线和晶间相共同组成,也称晶界相。多晶陶瓷的晶界是气体和离子迁移的快速通道，也是掺杂物聚集的地方。从微观结构看ZnO晶界层组分和结构的变化常会引起氧化物晶体的能带畸变，这是在晶界处产生肖特基势垒的根
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2023-02
星期 一
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天津USB TYPE C ESD保护元件厂家 上海来明电子供应
人体放电模型（HBM）是静电放电（ESD）模型的一种，是分析电子元件对静电放电耐受性特性时，**常使用的模型。人体放电模型是模拟带有静电的人碰到电子元件时，在几百纳秒（ns）的时间内产生数安培的瞬间放电电流，天津USBTYPECE
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2023-02
星期 一
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湖北激光二极管贴片 上海来明电子供应
触发二极管又称双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅，在电路中作过压保护等用途。测量双向触发二极管的转折电压的方法：将兆欧表的正极（E）和负极（L）分别接双向触发二极管的两端，用兆欧
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2023-02
星期 一
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重庆400W瞬态抑制二极管选型 上海来明电子供应
TVS的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用***过TVS的电流，由原来的反向漏电流ID上升到IR时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿
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