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2023-03
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天津400W瞬态抑制二极管封装 上海来明电子供应
单向TVS的V-I特性，单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。双向TVS的V-I特性，具有双向对称性，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，其正反
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2023-03
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云南空心电感磁珠隔离变压器参数 上海来明电子供应
在一些主板上，我们能看到共模电感，但是在大多数主板上，我们都会发现省略了该元件，甚至有的连位置也没有预留，云南空心电感磁珠隔离变压器参数。这样的主板，合格吗？不可否认，共模电感对主板高速接口的共模干扰有很好的抑制作用，云南空心电感
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2023-03
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北京肖特基二极管型号 上海来明电子供应
桥式整流器是由四只整流硅芯片作桥式连接，外用绝缘朔料封装而成，大功率桥式整流器在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热。桥式整流器品种多：有扁形、圆形、方形、板凳形（分直插与贴片）等，有GPP与O/J结构之分。比较大整流电流从，比较高
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2023-03
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湖北超大功率瞬态抑制二极管应用 上海来明电子供应
齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中
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2023-03
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甘肃X电容封装 上海来明电子供应
型号命名国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器），依次分别**名称、材料、分类和序号。***部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。注：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高
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